但是如果仔细看的情况下，废旧碳化硅和废旧氮化硅还是可以区分开的，一般氮化硅制品的颜色是灰白色，体积密度也比碳化硅制品的大。
区分废旧碳化硅和废旧氮化硅主要是为了合理的定价，无论是废旧碳化硅还是废旧氮化硅，我们在回收的时候，主要是看碳化硅的含量的，一般碳化硅的含量越高，我们的回收价格就越高，如果废旧碳化硅制品的氧化程度比较高，那么碳化硅含量就很低了，回收价格也就会下降。氮化硅制品在窑炉中用过以后，也会出现氧化现象，有些氮化硅砖氧化以后会和碳化硅砖一样，氮化硅氧化变成碳化硅，呈现黑色的碳化硅颗粒，如果氧化的严重的情况下，氮化硅的体积会出现疏松，碳化硅含量下降，体积密度降低，耐压强度也会大大降低。
Si3N4结构陶瓷做为一种出色的高温施工材料，能发挥特长的是其在高温行业中的运用。Si3N4将来的发展前景是：⑴充分运用和运用Si3N4自身所具备的出色特点；⑵在Si3N4粉末状烧结时，开发设计一些新的助熔剂，科学研究和操纵目前助熔剂的成份；这里的氮化硅氮硅原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。⑶改进制粉、成形和烧结加工工艺；⑷研发Si3N4与SiC等原材料的复合化，便于制得大量的高分子材料。S它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的样子，在N2以及1200℃的高温下开展基本氮化，使在其中一部分硅粉与氮反映转化成氮化硅，这时候全部坯体早已具备一定的抗压强度。随后在1350℃～1450℃的高温炉中开展二次氮化，反映成氮化硅。用压合烧结法能制得做到基础理论相对密度99%的氮化硅。
气压烧结法（ GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。应用用于航空、冶金、机械、半导体等工业中制造高温轴承、冶金坩埚、半导体区域熔炼舟器等。
耐火材料一般分为两种，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫浇注料，是由多种骨料或集料和一种或多种粘和剂组成的混合粉状颗料，使用时需要和一种或多种液体配合搅拌均匀，具有较强的流动性。定型耐火材料一般指耐火砖，其形状有标准规则，也可以根据需要筑切时临时加工。反应烧结法（ RS)是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻).。然后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率< 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。常压烧结法（ PLS)在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。气压烧结法（ GPS)近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。可用作建筑窑炉和各种热工设备的高温建筑材料和结构材料，并在高温下能经受各种物理化学变化和机械作用。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷。