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氮化硅在90-1000K温度范围内的迁移率具有与其他大多数半导体不同的行为。N型材料的霍尔迁移率在200K时约具有10c㎡/V.s的大值，在1000K时大约降到2.5c㎡/V.s、90K时接近于零；P型材料的大值不明显，200K时的迁移率值为70c㎡/V.s，1000K时为30c㎡/V.s。氮化硅电工材料高温热电能|量转换的高温发热元件，利用其非线性导电物性作成的避雷器、继电器及SiC压MIN感器等。氮化硅是一种非常好的物质同时其特性也是非常的多的，氮化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把氮化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高JI耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。

近年来，半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素，而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。此外，在电动汽车、高铁等领域，半导体器件使用过程中往往要面临颠簸、震动等复杂的力学环境，这对所用材料的力学可靠性提出了严苛的要求。氮化硅（Si3N4）陶瓷是综合性能好的结构陶瓷材料。

Si3N4陶瓷及其性能特点

Si3N4具有３种结晶结构，分别是α相、β相和γ相。其中α相和β相是Si3N4常见的形态，均为六方结构。Si3N4陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能，是综合性能好的结构陶瓷材料。与其他陶瓷材料相比，Si3N4陶瓷材料具有明显优势，尤其是在高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。可以看出，Si3N4陶瓷的抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的２倍以上，特别是在材料可靠性上，Si3N4陶瓷具有其他二者无法比拟的优势。

如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：

利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。

等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。